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申请/专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
摘要：在碳化硅晶圆的制造装置中，冷却部40能够将分离空间201冷却为400℃以下，供给管51～53具有：掺杂气体用供给管51，被供给反应气体中包含的氨系气体；生长气体用供给管53，被供给包括反应气体中包含的硅烷系气体和氯系气体的生长气体；以及惰性气体用供给管52，向分离空间201中的、被供给氨系气体的部分与被供给氯系气体的部分之间供给反应气体中包含的惰性气体。
主权项：1.一种碳化硅晶圆的制造装置，其特征在于，具备：腔室，构成反应室，且被设为具有上部和下部的筒状，其中，该反应室被供给反应气体，使得在由碳化硅构成的种子基板的表面侧生长出由碳化硅构成的外延层；基座，配置于所述腔室内的下部侧，用于配置所述种子基板；供给管，与所述腔室的上部连结，向所述反应室供给所述反应气体；喷头，以将所述反应室划分为所述下部侧的生长空间和所述上部侧的分离空间的方式配置，并且形成有使所述生长空间与所述分离空间连通的多个贯通孔；以及冷却部，对所述分离空间进行冷却，所述冷却部能够将所述分离空间冷却为400℃以下，所述供给管具有：掺杂气体用供给管，被供给所述反应气体中包含的氨系气体；生长气体用供给管，被供给包括所述反应气体中所包含的硅烷系气体和氯系气体的生长气体；以及惰性气体用供给管，向所述分离空间中的、被供给所述氨系气体的部分与被供给所述氯系气体的部分之间供给所述反应气体中所包含的惰性气体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社电装 丰田自动车株式会社 未来瞻科技株式会社 碳化硅晶圆的制造装置
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