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申请/专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管钝化结构及其制造方法，所述结构为层状结构，从下至上依次为衬底，外延层，氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层，和PI钝化层，其中所述氮化硅钝化层覆盖UDO+PSG氧化层上表面以及周缘，在所述氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层中形成势垒金属窗口，势垒金属层位于势垒金属窗口，并接触外延，正面电极金属层位于氮化硅及势垒金属层上层，PI钝化层设置于正面电极金属层上方，并延伸至金属上表面的周缘。采用本发明，可避免氮化硅在金属基底上，由于膨胀系数差异较大导致的开裂，也能通过调节氮化硅下方的氧化层厚度、形貌来调节钝化层形貌，以避免出现开裂等异常。同时固定氧化层中可动电荷，并隔绝水汽带来的不良影响。
主权项：1.一种肖特基二极管钝化结构，其特征在于，所述结构为层状结构，从下至上依次为衬底，外延层，氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层，和PI钝化层，其中所述氮化硅钝化层覆盖UDO+PSG氧化层上表面以及周缘，在所述氧化层，UDO+PSG氧化层，氮化硅钝化层中形成势垒金属窗口，势垒金属层位于势垒金属窗口，并接触外延，正面电极金属层位于氮化硅及势垒金属层上层，PI钝化层设置于正面电极金属层上方，并延伸至金属上表面的周缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏新顺微电子股份有限公司 一种肖特基二极管钝化结构及其制造方法
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