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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，具体涉及半导体技术领域。所述制备方法包括：提供基底，在所述基底上依次形成第一电极板、第一介电层和第二电极板，在所述第二电极板上形成第一帽层；在所述第一帽层上形成图形化的光刻胶层，并以所述图形化的光刻胶层为掩膜，采用离子束刻蚀工艺刻蚀所述第二电极板；其中，所述离子束刻蚀工艺的刻蚀角度为20°至90°。本发明的制备方法可以有效减轻电容的第二电极板刻蚀对介电层带来的损伤，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一电极板、位于所述第一电极板上的第一介电层和位于所述第一介电层上的第二电极板；在所述第二电极板上形成第一帽层；在所述第一帽层上形成图形化的光刻胶层，并以所述图形化的光刻胶层为掩膜，采用离子束刻蚀工艺刻蚀所述第二电极板；其中，所述离子束刻蚀工艺的刻蚀角度为20°至90°。
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权利要求：
百度查询： 杭州积海半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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