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申请/专利权人：南昌中微半导体设备有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种工件处理方法、工件及等离子体处理装置，本发明公开的工件处理方法包括：覆盖：在工件上覆盖液态碳硅烷，所述液态碳硅烷至少覆盖在所述工件的待处理位置；固化：将覆盖于所述工件上的液态碳硅烷固化，形成功能层。本发明采用液态碳硅烷作为化学源，经过浸渍和低温固化，获得包含碳化硅的功能层，该功能层耐腐蚀、耐刻蚀、耐磨；致密、厚度均匀、热传导效率高、粘度高。
主权项：1.一种工件处理方法，其特征在于，包括：覆盖：在工件上覆盖液态碳硅烷，所述液态碳硅烷至少覆盖在所述工件的待处理位置；所述液态碳硅烷为碳化硅陶瓷的先驱体，化学简式为[CH2RSiHxCH2R'SiHyCH2R"SiHz]n，其中，R、R'和R"为官能团，x、y和z为三个基团的比例，n为聚合度，x、y、z和n均大于0，复数粘度＜0.1Pa·S，数均分子量介于1000±300gmol，以在低温乃至室温下，能够保持近似于水的粘度和流动性；固化：在室温至120℃下，将覆盖于所述工件上的液态碳硅烷固化，形成功能层，所述功能层包含碳化硅；所述覆盖的步骤和所述固化的步骤交替进行若干次。
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百度查询： 南昌中微半导体设备有限公司 中微半导体设备(上海)股份有限公司 工件处理方法、工件及等离子体处理装置
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