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摘要：提供一种组合物，是可以形成对碱性过氧化氢水、酸性过氧化氢水等半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的保护膜形成用的组合物，其对抗蚀剂溶剂也显示优异的耐性，也可以作为抗蚀剂下层膜形成用的组合物有效地使用。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含A下述式A所示的化合物、和B溶剂。在式A中，n表示1～10的整数，在n为2的情况下，X表示亚磺酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数2～50的2价有机基，在n为除2以外的整数的情况下，X表示碳原子数2～50的n价有机基。Y表示‑CH2CHOHCH2OC＝OCH2CH2t‑、‑CH2CHOHCH2OC＝OCCN＝CH‑，t表示1～6的整数。
主权项：1.一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：A下述式A所示的化合物；以及B溶剂， 在式A中，n表示1～10的整数，在n为2的情况下，X表示亚磺酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数2～50的2价有机基，在n为除2以外的整数的情况下，X表示碳原子数2～50的n价有机基；Y表示-CH2CHOHCH2OC＝OCH2CH2t-、-CH2CHOHCH2OC＝OCCN＝CH-，t表示1～6的整数。
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百度查询： 日产化学株式会社 具有儿茶酚基的药液耐性保护膜形成用组合物
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