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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明提供了一种Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用。本申请提供了一种Fe5GeTe2材料在磁阻角度传感器中的应用，所述磁阻角度传感器中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。其在一定温度和磁场强度的条件下，随着Fe5GeTe2材料所在平面与磁场方向二者之间夹角的变化，Fe5GeTe2材料的纵向电阻和霍尔电阻会产生明显变化，基于此，Fe5GeTe2材料可应用于磁阻角度传感器，角度检测范围最高可达360度。采用上述磁阻片的磁阻角度传感器具有反应灵敏，分辨率高，检测范围广，适用面宽，结构微小的特性，扩大了Fe5GeTe2材料的应用范围。
主权项：1.Fe5GeTe2材料在磁阻角度传感器中的应用，其特征在于，所述磁阻角度传感器包括传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用
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