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申请/专利权人：上海工程技术大学
摘要：本发明公开了一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料、其用途及其制备方法，未充满型钨青铜结构低损耗介电材料，结构通式为aNb2O5‑bCaO‑cSrO‑dBaO‑eLa2O3‑fNd2O3‑gNa2O，其中，a≥0.5，b≥0.1，c≥0.1，d≥0.1，e≥0，f≥0，g≥0。本发明未充满型钨青铜结构低损耗介电材料，具有介电常数可调、低介电损耗、容温变化率小，可用于陶瓷电容器和MLCC；制备时，在中低温烧结即可，环境友好且工艺简单，成本低廉，具有良好的产业化前景。
主权项：1.一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料，其特征在于：其结构通式为aNb2O5-bCaO-cSrO-dBaO-eLa2O3-fNd2O3-gNa2O，其中，a≥0.5，b≥0.1，c≥0.1，d≥0.1，e≥0，f≥0，g≥0。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海工程技术大学 一种未充满型钨青铜结构低损耗介电材料及其制备方法
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