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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种高温度稳定性的A位高构型熵充满型钨青铜电介质陶瓷及其制备方法，其表达式为Sr4.5Ca0.5RTi3Nb7O30,其中R＝La0.5Nd0.5、La13Nd13Sm13或La0.25Nd0.25Sm0.25Eu0.25。本发明制备的电介质陶瓷具有高温度稳定性，以室温为基准，尤其是当R＝La13Nd13Sm13和La0.25Nd0.25Sm0.25Eu0.25时，介电常数变化值小于15％的温度范围所对应的最高温度均超过200℃，具有极好的温度稳定性，且在高偏置电场时也显示出优良的介电常数稳定性，从而满足电容器在高温和耐电压条件下的使用要求。
主权项：1.一种高温度稳定性的A位高构型熵充满型钨青铜陶瓷，其特征在于：所述陶瓷的化学式为Sr4.5Ca0.5RTi3Nb7O30；其中R=La0.5Nd0.5、La13Nd13Sm13或La0.25Nd0.25Sm0.25Eu0.25；对应R分别为La0.5Nd0.5、La13Nd13Sm13、La0.25Nd0.25Sm0.25Eu0.25时，所述陶瓷的A位构型熵ΔSconfig分别为1.39R、1.59R和1.73R。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种高温度稳定性的A位高构型熵充满型钨青铜陶瓷及其制备方法
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