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申请/专利权人：闽都创新实验室
摘要：本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。
主权项：1.一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构，其特征在于：在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 一种Micro-LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法
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