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申请/专利权人：力旺电子股份有限公司

摘要：一种运用于类神经网络系统的控制电路，包括：一第一乘积累加电路、一第一神经元数值储存电路与一第一处理器。第一乘积累加电路包括n个忆阻性记忆胞。n个忆阻性记忆胞的一第一端接收一供应电压，n个忆阻性记忆胞的一第二端连接至一第一位线，n个忆阻性记忆胞的控制端连接至对应的n条字线。一第一神经元数值储存电路储存一第一层的n个神经元数值。于一应用程序时，该第一神经元数值储存电路根据该n个神经元数值的二进制码来控制该n条字线，使得第一处理器产生一第二层的一第一神经元数值。

主权项：1.一种运用于类神经网络系统的控制电路，包括：第一乘积累加电路，包括n个忆阻性记忆胞，所述n个忆阻性记忆胞的第一端接收供应电压，所述n个忆阻性记忆胞的第二端连接至第一位线，所述n个忆阻性记忆胞的控制端连接至对应的n条字线；第一神经元数值储存电路，连接至所述n条字线，所述第一神经元数值储存电路包括n个寄存器对应地储存第一层的n个神经元数值；以及第一处理器，连接至所述第一位线；其中，于所述类神经网络系统的应用程序时，所述第一神经元数值储存电路根据所述n个神经元数值的二进制码来控制所述n条字线，使得所述第一乘积累加电路产生多个第一位线电流经由所述第一位线至所述第一处理器，且所述第一处理器利用模拟计算的方式，将所述多个第一位线电流转换为输出电流后，再将所述输出电流转换为第二层的第一神经元数值；其中，所述n个忆阻性记忆胞中的第一忆阻性记忆胞包括：第一开关晶体管与第一忆阻器，所述第一开关晶体管的栅极端作为所述第一忆阻性记忆胞的所述控制端以连接至所述n条字线中的第一字线，所述第一开关晶体管的第一漏源极端作为所述第一忆阻性记忆胞的所述第一端以接收所述供应电压，所述第一开关晶体管的第二漏源极端连接至所述第一忆阻器的第一端，且所述第一忆阻器的第二端作为所述第一忆阻性记忆胞的所述第二端以连接至所述第一位线；其中，所述n个忆阻性记忆胞中的第二忆阻性记忆胞包括：第二开关晶体管与第二忆阻器，所述第二开关晶体管的栅极端作为所述第二忆阻性记忆胞的所述控制端以连接至所述n条字线中的第二字线，所述第二开关晶体管的第一漏源极端作为所述第二忆阻性记忆胞的所述第一端以接收所述供应电压，所述第二开关晶体管的第二漏源极端连接至所述第二忆阻器的第一端，且所述第二忆阻器的第二端作为所述第二忆阻性记忆胞的所述第二端以连接至所述第一位线。

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