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申请/专利权人:立潮半导体科技(江苏无锡)有限公司
摘要:本发明公开了一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法,属于MOCVD技术领域,所述MOCVD反应腔室的清理装置包括反应腔室本体、清理组件和排废组件,所述反应腔室本体的上端设置为开口,所述反应腔室本体上端的开口处安装有盖板;所述清理组件包括转动轴,所述转动轴转动连接于盖板的圆心处。本发明通过在反应室腔体内安装有清扫组件,清扫组件转动时,第一刷扫件和第二刷扫件会对反应腔室上端和侧壁上附着的杂质进行刷扫,从而使得反应腔室内杂质的清理在反应腔室不打开的情况下便可以完成,避免了反应腔室杂质清理时与大气的接触;同时清扫组件只需要通过转动便可以完成对反应腔室的清理,极大的提升了清理的效率和效果。
主权项:1.一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于,包括:反应腔室,包括反应腔室本体,所述反应腔室本体的上端设置为开口,所述反应腔室本体上端的开口处安装有盖板;清理组件,包括转动轴,所述转动轴转动连接于盖板的圆心处,所述转动轴贯穿过盖板且上下两端分别置于盖板的上下两侧,所述转动轴置于盖板下侧的侧壁上套接有套接环,所述套接环的侧壁上对称的固定连接有一对第一刷扫件,一对所述第一刷扫件远离套接环的一端安装有第二刷扫件,所述第一刷扫件与盖板的下侧壁贴合,所述第二刷扫件与反应腔室本体的内侧壁上贴合;排废组件,包括吹扫喷嘴和排料管,所述吹扫喷嘴安装于盖板的上侧壁上,所述排料管安装于反应腔室本体的底部。
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