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申请/专利权人：国际商业机器公司
摘要：提供了一种半导体结构，其包括堆叠在第二FET器件上的第一FET器件，其中第一FET器件包含含有第一功函数金属的第一功能栅极结构，并且第二FET器件包含含有第二功函数金属的第二功能栅极结构。在该结构中，第一功函数金属不存在于包括第二功函数金属的区域中，反之亦然。因此，在半导体结构中不存在共享功函数金属。
主权项：1.一种半导体结构，包括：第一场效应晶体管FET器件，堆叠在第二FET器件上，其中所述第一FET器件包括第一功能栅极结构，所述第一功能栅极结构含有第一功函数金属，并且所述第二FET器件包括第二功能栅极结构，所述第二功能栅极结构含有第二功函数金属；堆叠器件分隔电介质材料层，位于所述第一FET器件和所述第二FET器件之间；第一栅极切口沟槽电介质结构，与所述第一FET器件横向相邻地定位；以及第二栅极切口电介质结构，与所述第二FET器件横向相邻地定位，其中第一栅极切口电介质结构的一部分穿过所述堆叠器件分隔电介质材料层中的开口，并且与所述第二FET器件横向相邻地存在。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国际商业机器公司 具有非共享功函数金属的堆叠FET
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