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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要：本申请公开了一种用于套刻精度测量的标记系统方法及量测方法，系统包括：第一图案层的第一套刻标记、第二图案层的第二套刻标记以及第三图案层的第三套刻标记；第三套刻标记为接触孔，第一套刻标记的垂直投影部分位于第三套刻标记内，所述第二套刻标记的垂直投影全部位于所述第三套刻标记内，且位于所述第三套刻标记的中心。通过将接触孔作为图案层的套刻标记，并且透过接触孔标记可以看到另两层的套刻标记，从而一次可以测量三层的套刻精度，减少了多层套刻精度的量测次数，缩短了光刻的工艺时间，降低了生产成本。同时也节省了单独套刻标记工艺，避免了制作套刻标记工艺带来的测量误差，使得测量值与实际产品的套刻精度一致，提升产品的良率。
主权项：1.一种用于套刻精度测量的标记系统，其特征在于，所述系统包括：第一图案层的第一套刻标记、第二图案层的第二套刻标记以及第三图案层的第三套刻标记；其中，所述第三套刻标记为孔型的接触孔，所述第三套刻标记位于芯片内，所述第一套刻标记的垂直投影部分位于第三套刻标记内，所述第二套刻标记的垂直投影全部位于所述第三套刻标记内，且位于所述第三套刻标记的中心；所述第一套刻标记和所述第二套刻标记均为条型形态的标记，并且位于划片槽上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 真芯(北京)半导体有限责任公司 用于套刻精度测量的标记系统及量测方法
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