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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请涉及一种对准标记的制备方法及半导体结构，通过提供基底，基底上包括形成有前层对准图案的对准标记区域，其中，前层对准图案包括平行排列的多个初始沟槽，于前层对准图案上形成当层对准图案，当层对准图案填充多个初始沟槽，且暴露出基底未形成初始沟槽的表面，使当层对准图案的顶面高于初始沟槽的顶面，于前层对准图案和当层对准图案上覆盖外延层，其中，对准标记包括前层对准图案、当层对准图案和外延层，从而提高了外延后的对准精度。本申请通过使当层对准图案的顶面高于初始沟槽的顶面，从而使当层对准图案和前层对准图案之间具备高度差，不同高度差的信号强度不同，进一步提高了外延后的对准精度。
主权项：1.一种对准标记的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括形成有前层对准图案的对准标记区域；其中，所述前层对准图案包括平行排列的多个初始沟槽；于所述前层对准图案上形成当层对准图案，所述当层对准图案填充所述多个初始沟槽，且暴露出所述基底未形成所述初始沟槽的表面；其中，所述当层对准图案的顶面高于所述初始沟槽的顶面；于所述前层对准图案和所述当层对准图案上覆盖外延层；其中，所述对准标记包括所述前层对准图案、所述当层对准图案和所述外延层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 对准标记的制备方法及半导体结构
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