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申请/专利权人：三一硅能(株洲)有限公司
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种湿法氧化扩散工艺及其设备。所述湿法氧化扩散工艺包括：在硼扩散的后氧化过程中，依次进行一次氧气氧化、氮气携水汽氧化以及二次氧气氧化的交替氧化过程。本发明通过优化湿法氧化扩散工艺，水汽和氧气的流量比例可以调整，避免水汽过多膜层疏松，进而满足TOPCon电池硼扩层对背膜抛光，正面绕镀清洗高保护性的要求。同时本发明的工艺可以将氧化温度整体降低≥20摄氏度，达到1000～1020摄氏度，降低了石英器件对耐高温的要求，降低了石英材质的要求，同时温度降低使得氧沉淀减少，对硅片质量要求降低。
主权项：1.一种湿法氧化扩散工艺，其特征在于，包括：在硼扩散的后氧化过程中，依次进行一次氧气氧化、氮气携水汽氧化以及二次氧气氧化的交替氧化过程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三一硅能(株洲)有限公司 湿法氧化扩散工艺及其设备
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