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申请/专利权人:三一硅能(株洲)有限公司
摘要:本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种湿法氧化扩散工艺及其设备。所述湿法氧化扩散工艺包括:在硼扩散的后氧化过程中,依次进行一次氧气氧化、氮气携水汽氧化以及二次氧气氧化的交替氧化过程。本发明通过优化湿法氧化扩散工艺,水汽和氧气的流量比例可以调整,避免水汽过多膜层疏松,进而满足TOPCon电池硼扩层对背膜抛光,正面绕镀清洗高保护性的要求。同时本发明的工艺可以将氧化温度整体降低≥20摄氏度,达到1000~1020摄氏度,降低了石英器件对耐高温的要求,降低了石英材质的要求,同时温度降低使得氧沉淀减少,对硅片质量要求降低。
主权项:1.一种湿法氧化扩散工艺,其特征在于,包括:在硼扩散的后氧化过程中,依次进行一次氧气氧化、氮气携水汽氧化以及二次氧气氧化的交替氧化过程。
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百度查询: 三一硅能(株洲)有限公司 湿法氧化扩散工艺及其设备
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