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申请/专利权人：无锡松煜科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法。本发明方法通过在载体舟中增设降速板、提速板以及舟盖，以及在原子层沉积腔中增加反射板的设置，对流经载体舟内的前驱体气流量及气流方式进行优化，使在TOPCon电池硅片正面沉积得到厚度均匀性好的氧化铝膜，且该硅片背面不被绕镀。特别地，反射气进气的方式减缓前驱体气体对背面紧贴的2片硅片的冲击，避免2片硅片背面分离，进而避免氧化铝膜绕镀。
主权项：1.一种用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：提供一个原子层沉积腔，其内包括：载体舟，用于装载硅片；降速板，设于载体舟的进气端，其上设有若干个尺寸从外到内逐渐增大的槽孔，以减缓前驱体气体进入载体舟的速度；提速板，设于载体舟的出气端，其上设有若干个尺寸从内到外逐渐减小的槽孔，以加快前驱体气体流出载体舟的速度；反射板，用于通过反射前驱体气体对其进行匀流，并使之流向载体舟；进气口，设于原子层沉积腔内壁上，用于向反射板喷射前驱体气体；步骤S2：在载体舟内放置硅片，放置时，每2片硅片背面紧贴放置；步骤S3：通过进气口向原子层沉积腔内依次通入第一前驱体气体、第二前驱体气体，从而使载体舟内的硅片正面制备得到均匀厚度的氧化铝膜；步骤S1中，降速板与载体舟内装载硅片的位置相距40~100mm的距离，所述距离为降速板内侧的边缘到载体舟内第一槽装载硅片的位置的距离；在每次通入前驱体后，通入惰性气体吹扫硅片表面，所述惰性气体的通入流量为15~25Lmin、每次通入的时间为3~10s；所述从外到内的方向为从载体舟舟外到舟内的方向，所述从内到外的方向为从载体舟舟内到舟外的方向。
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权利要求：
百度查询： 无锡松煜科技有限公司 用于硅片表面沉积氧化铝膜的方法
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