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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日：2007-12-13
公开（公告）日：2008-10-22
公开（公告）号：CN201138658Y
专利技术分类：
专利摘要：一种沉积－刻蚀－沉积反应系统，所述反应系统包括第一反应装置，用以执行沉积操作；第二反应装置，与第一反应装置分离，用以执行刻蚀操作；制程控制装置，用以承载及运送所述半导体基底，并完成所述半导体基底在所述第一反应装置和所述第二反应装置间的切换。可减少刻蚀操作对沉积－刻蚀－沉积反应装置如HDPCVD反应装置造成的损伤。
专利权项：1.一种沉积-刻蚀-沉积反应系统，其特征在于：所述反应系统包括第一反应装置，用以执行沉积操作；第二反应装置，与第一反应装置分离，用以执行刻蚀操作；制程控制装置，用以承载及运送所述半导体基底，并完成所述半导体基底在所述第一反应装置和所述第二反应装置间的切换。
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 沉积－刻蚀－沉积反应系统
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