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申请/专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日：2007-05-15
公开（公告）日：2009-06-10
公开（公告）号：CN101454720A
专利技术分类：
专利摘要：通过将第一层抗蚀剂12涂覆在基板10上制造微结构器件的方法。通过该抗蚀剂的辐射引发的热去除在该基板上产生图案。
专利权项：1.一种微结构器件的制造方法，包括：在基板上涂覆第一层抗蚀剂材料；和通过所述第一抗蚀剂材料的成像式辐射引发的热去除，在所述基板材料上产生图案。
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