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申请/专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日：2007-05-15
公开（公告）日：2012-11-14
公开（公告）号：CN101454720B
专利技术分类：.吸收剂，例如不透明材料[2012.01]
专利摘要：通过将第一层抗蚀剂12涂覆在基板10上制造微结构器件的方法。通过该抗蚀剂的辐射引发的热去除在该基板上产生图案。
专利权项：一种微结构器件的制造方法，包括：在基板上涂覆第一层抗蚀剂材料，所述第一层包括有机固体和光至热转化物质；和通过所述第一层抗蚀剂材料的成像式辐射引发的热去除，在所述基板材料上产生图案，其中所述有机固体为一种或多种聚合物粘结剂、单体态玻璃，或一种或多种聚合物粘结剂与单体态玻璃的混合物，其中该聚合物粘结剂包含一种或多种粘结剂，该粘结剂衍生自通式CH＝CXY的单体或单体混合物，其中X和Y是负电性或共振稳定基团。
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