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申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
摘要：本申请提供了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：外延结构，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；电流扩展层，形成于外延结构之上，电流扩展层包括第一电流扩展层和第二电流扩展层；电流阻挡层，形成于第一电流扩展层和第二电流扩展层之间；其中，电流阻挡层包括DBR结构层。本申请通过设置第一电流扩展层、电流阻挡层以及第二电流扩展层的包覆结构，增加对光线的反射并减少电极对光线的吸收，由此提高发光二极管的出光效率和发光亮度，该包覆结构还可保护外延结构不受损伤，提高产品质量稳定性，获得具有高反射率和高外量子效率的产品。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：外延结构，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构之上，所述电流扩展层包括第一电流扩展层和第二电流扩展层；电流阻挡层，形成于所述第一电流扩展层和所述第二电流扩展层之间；其中，所述电流阻挡层包括DBR结构层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及发光装置
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