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申请/专利权人:电子科技大学
摘要:本发明公开了一种基于凸优化的低旁瓣宽零陷的稳健波束形成方法,包括以下步骤:步骤一、生成各阵元坐标矩阵L;步骤二、将视区离散化为具有M个方向的向量θ,根据坐标矩阵生成导向矢量矩阵A;步骤三、在阵元坐标矩阵中引入阵元位置误差δ,设定阵元位置误差的标准差为e,并根据阵元位置误差生成导向矢量误差a;步骤四、利用cvx工具箱,求解优化问题;步骤五、根据步骤四获取的优化后的主瓣电平和旁瓣电平画出辐射方向图。本发明引入单元位置误差,同时约束单元位置误差的范数上界,解决了由于实际阵元误差导致的波束形成鲁棒性下降的问题,降低了旁瓣电平,提高了波束形成的鲁棒性,保证了波束形成的稳定性。
主权项:1.一种基于凸优化的低旁瓣宽零陷的稳健波束形成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、确定阵列工作频率w,对应信号波长λ,阵列元素间距建立N×N的平面阵列并生成各阵元坐标矩阵L;步骤二、将视区离散化为具有M个方向的向量θ,根据坐标矩阵生成导向矢量矩阵Aθ,Aθ的维数为N2×M;步骤三、在阵元坐标矩阵中引入阵元位置误差δ,设定阵元位置误差的标准差为e,并根据阵元位置误差生成导向矢量误差aθ;步骤四、利用cvx工具箱,求解优化问题其中,W为权向量矩阵,θs为主瓣方向,θi为旁瓣方向,θin为干扰方向;ReWTAθs为主瓣电平,ReWTAθi为旁瓣电平,Re代表取实部;ε为单元位置误差的范数上界,为旁瓣电平的上界;B=diag0,...N-1,diag为对角矩阵;||||2表示二范数;步骤五、根据步骤四获取的优化后的主瓣电平和旁瓣电平画出辐射方向图。
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百度查询: 电子科技大学 一种基于凸优化的低旁瓣宽零陷的稳健波束形成方法
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