买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:西安电子科技大学
摘要:本申请涉及模拟电路信号处理技术领域,特别涉及一种高速动态比较器,包括:比较器本体,比较器本体包括前置放大器单元和锁存结构单元;比较器本体还包括尾电流管单元和动态偏置单元;尾电流管单元设置在前置放大器单元的尾端,动态偏置单元设置在锁存结构单元的尾端;动态偏置单元包括第一MOS管、第二MOS管和第一电容;尾电流管单元包括第三MOS管、第四MOS管和第二电容。本申请在在锁存结构单元尾端动态偏置单元,可以暂时提高电路的有效电源电压,加快了比较速度。同时,前置放大器的尾部电荷泵增加了尾电流管的过驱动电压,导致前置放大器的共模漏极电流增加,从而增加了输出节点寄生电容的放电速率,提高了比较速度。
主权项:1.一种高速动态比较器,包括:比较器本体,所述比较器本体包括前置放大器单元和锁存结构单元;其特征在于,所述比较器本体还包括尾电流管单元和动态偏置单元;所述尾电流管单元设置在前置放大器单元的尾端,所述动态偏置单元设置在锁存结构单元的尾端;所述动态偏置单元包括第一MOS管、第二MOS管和第一电容;第一MOS管的漏极与所述锁存结构单元连接,第一MOS管的栅极与时钟信号CLKB连接,第一MOS管的源极分别与第二MOS管的漏极、时钟信号CLK连接;第一电容设置在第一MOS管的源极和时钟信号CLK之间;第二MOS管的源极与电源电压VDD连接,第二MOS管的栅极与时钟信号CLK连接;所述尾电流管单元包括第三MOS管、第四MOS管和第二电容;第三MOS管的漏极与前置放大器单元连接,第三MOS管的栅极与时钟信号CLK连接,第三MOS管的源极分别与第四MOS管的漏极、时钟信号CLKB连接;第二电容设置在第三MOS管的源极和时钟信号CLKB之间;第四MOS管的栅极与时钟信号CLKB连接,第四MOS管的源极接地。
全文数据:
权利要求:
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。