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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本申请涉及模拟电路信号处理技术领域，特别涉及一种高速动态比较器，包括：比较器本体，比较器本体包括前置放大器单元和锁存结构单元；比较器本体还包括尾电流管单元和动态偏置单元；尾电流管单元设置在前置放大器单元的尾端，动态偏置单元设置在锁存结构单元的尾端；动态偏置单元包括第一MOS管、第二MOS管和第一电容；尾电流管单元包括第三MOS管、第四MOS管和第二电容。本申请在在锁存结构单元尾端动态偏置单元，可以暂时提高电路的有效电源电压，加快了比较速度。同时，前置放大器的尾部电荷泵增加了尾电流管的过驱动电压，导致前置放大器的共模漏极电流增加，从而增加了输出节点寄生电容的放电速率，提高了比较速度。
主权项：1.一种高速动态比较器，包括：比较器本体，所述比较器本体包括前置放大器单元和锁存结构单元；其特征在于，所述比较器本体还包括尾电流管单元和动态偏置单元；所述尾电流管单元设置在前置放大器单元的尾端，所述动态偏置单元设置在锁存结构单元的尾端；所述动态偏置单元包括第一MOS管、第二MOS管和第一电容；第一MOS管的漏极与所述锁存结构单元连接，第一MOS管的栅极与时钟信号CLKB连接，第一MOS管的源极分别与第二MOS管的漏极、时钟信号CLK连接；第一电容设置在第一MOS管的源极和时钟信号CLK之间；第二MOS管的源极与电源电压VDD连接，第二MOS管的栅极与时钟信号CLK连接；所述尾电流管单元包括第三MOS管、第四MOS管和第二电容；第三MOS管的漏极与前置放大器单元连接，第三MOS管的栅极与时钟信号CLK连接，第三MOS管的源极分别与第四MOS管的漏极、时钟信号CLKB连接；第二电容设置在第三MOS管的源极和时钟信号CLKB之间；第四MOS管的栅极与时钟信号CLKB连接，第四MOS管的源极接地。
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