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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本公开所涉及的光半导体装置具备：第1包层；量子阱活性层，设置于上述第1包层之上；第2包层，设置于上述量子阱活性层之上，且导电型与上述第1包层不同；加热电极，设置于上述第2包层之上；偏压控制部，对上述加热电极施加偏压来加热上述量子阱活性层，调整在上述量子阱活性层中传播的光的相位；以及反向偏压控制部，对上述量子阱活性层施加反向偏压，调整在上述量子阱活性层中传播的光的振幅。
主权项：1.一种光半导体装置，其特征在于，具备：第1包层；量子阱活性层，设置于所述第1包层之上；第2包层，设置于所述量子阱活性层之上，且导电型与所述第1包层不同；加热电极，设置于所述第2包层之上；偏压控制部，对所述加热电极施加偏压而加热所述量子阱活性层，来调整在所述量子阱活性层中传播的光的相位；以及反向偏压控制部，对所述量子阱活性层施加反向偏压，来调整在所述量子阱活性层中传播的光的振幅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 光半导体装置、光调制器以及光发送装置
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