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申请/专利权人:三菱电机株式会社
摘要:本公开所涉及的光半导体装置具备:第1包层;量子阱活性层,设置于上述第1包层之上;第2包层,设置于上述量子阱活性层之上,且导电型与上述第1包层不同;加热电极,设置于上述第2包层之上;偏压控制部,对上述加热电极施加偏压来加热上述量子阱活性层,调整在上述量子阱活性层中传播的光的相位;以及反向偏压控制部,对上述量子阱活性层施加反向偏压,调整在上述量子阱活性层中传播的光的振幅。
主权项:1.一种光半导体装置,其特征在于,具备:第1包层;量子阱活性层,设置于所述第1包层之上;第2包层,设置于所述量子阱活性层之上,且导电型与所述第1包层不同;加热电极,设置于所述第2包层之上;偏压控制部,对所述加热电极施加偏压而加热所述量子阱活性层,来调整在所述量子阱活性层中传播的光的相位;以及反向偏压控制部,对所述量子阱活性层施加反向偏压,来调整在所述量子阱活性层中传播的光的振幅。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三菱电机株式会社 光半导体装置、光调制器以及光发送装置
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