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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种集成电路器件包括：绝缘结构；源极漏极区，位于所述绝缘结构上；成对的底半导体片，在第一水平方向上彼此间隔开，所述源极漏极区位于所述成对的底半导体片之间；成对的沟道区，与所述绝缘结构间隔开，所述底半导体片位于所述成对的沟道区与所述绝缘结构之间；成对的栅极线，位于所述底半导体片上并且分别在所述成对的沟道区上延伸，并且在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上纵长地延伸；以及背侧接触结构，延伸穿过所述绝缘结构以接触所述源极漏极区的底表面，所述背侧接触结构包括在所述第一水平方向上的宽度朝向所述源极漏极区增大的第一接触部分和在所述第一水平方向上的宽度朝向所述源极漏极区减小的第二接触部分。
主权项：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：绝缘结构；源极漏极区，所述源极漏极区位于所述绝缘结构上；成对的底半导体片，所述成对的底半导体片位于所述绝缘结构上，所述成对的底半导体片在第一水平方向上彼此间隔开并且所述源极漏极区位于所述成对的底半导体片之间；成对的沟道区，所述成对的沟道区与所述绝缘结构间隔开，所述成对的底半导体片位于所述成对的沟道区与所述绝缘结构之间；成对的栅极线，所述成对的栅极线位于所述成对的底半导体片上并且分别在所述成对的沟道区上延伸，所述成对的栅极线在第二水平方向上纵长地延伸，其中，所述第二水平方向与所述第一水平方向垂直；以及背侧接触结构，所述背侧接触结构在垂直方向上延伸穿过所述绝缘结构并且接触所述源极漏极区的底表面，所述背侧接触结构包括在所述第一水平方向上的宽度朝向所述源极漏极区增大的第一接触部分和在所述第一水平方向上的宽度朝向所述源极漏极区减小的第二接触部分。
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