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申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要:本发明公开了一种LED芯片及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、在衬底上外延生长N型半导体层、有源层及P型半导体层,得到LED外延片;S2、通过光刻工艺在LED外延片表面形成图案化的光刻胶层;S3、刻蚀LED外延片的部分区域至N型半导体层,形成台阶;S4、在台阶表面及光刻胶层上沉积钝化层;S5、通过刻蚀工艺对台阶侧壁上的钝化层进行刻蚀;S6、剥离LED外延片表面上的光刻胶层及其上的钝化层;S7、制备与P型半导体层电性连接的第一电极、及与N型半导体层电性连接的第二电极。本发明利用高密度等离子体刻蚀工艺,在保证器件隔离的同时,选择性刻蚀台阶侧壁上的钝化层,有效增加了LED芯片的侧壁出光效率。
主权项:1.一种LED芯片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1、在衬底上外延生长N型半导体层、有源层及P型半导体层,得到LED外延片;S2、通过光刻工艺在LED外延片表面形成图案化的光刻胶层;S3、刻蚀LED外延片的部分区域至N型半导体层,形成台阶;S4、在台阶表面及光刻胶层上沉积钝化层;S5、通过刻蚀工艺对台阶侧壁上的钝化层进行刻蚀;S6、剥离LED外延片表面上的光刻胶层及其上的钝化层;S7、制备与P型半导体层电性连接的第一电极、及与N型半导体层电性连接的第二电极。
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权利要求:
百度查询: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 LED芯片及其制备方法
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