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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上外延生长N型半导体层、有源层及P型半导体层，得到LED外延片；S2、通过光刻工艺在LED外延片表面形成图案化的光刻胶层；S3、刻蚀LED外延片的部分区域至N型半导体层，形成台阶；S4、在台阶表面及光刻胶层上沉积钝化层；S5、通过刻蚀工艺对台阶侧壁上的钝化层进行刻蚀；S6、剥离LED外延片表面上的光刻胶层及其上的钝化层；S7、制备与P型半导体层电性连接的第一电极、及与N型半导体层电性连接的第二电极。本发明利用高密度等离子体刻蚀工艺，在保证器件隔离的同时，选择性刻蚀台阶侧壁上的钝化层，有效增加了LED芯片的侧壁出光效率。
主权项：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1、在衬底上外延生长N型半导体层、有源层及P型半导体层，得到LED外延片；S2、通过光刻工艺在LED外延片表面形成图案化的光刻胶层；S3、刻蚀LED外延片的部分区域至N型半导体层，形成台阶；S4、在台阶表面及光刻胶层上沉积钝化层；S5、通过刻蚀工艺对台阶侧壁上的钝化层进行刻蚀；S6、剥离LED外延片表面上的光刻胶层及其上的钝化层；S7、制备与P型半导体层电性连接的第一电极、及与N型半导体层电性连接的第二电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 LED芯片及其制备方法
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