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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请了一种晶圆及键合方法，晶圆的键合方法包括提供第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底分别具有相对设置的衬底面和键合面；对第一衬底的键合面和第二衬底的键合面进行抛光处理；将第一衬底的键合面与第二衬底的键合面对准，置于键合腔室进行键合，键合腔室内具有第一环境压强P1，键合腔室外具有第二环境压强P2；满足P1P2；对第一衬底和第二衬底晶圆进行退火，完成键合。本申请提供的晶圆的键合方法通过控制键合过程中环境压强，同时结合前序的抛光工艺和后续的退火处理，改善了晶圆的制备工艺，解决了硅硅键合或硅氧键合过程中键合界面可能产生本征空洞缺陷的问题，为制备无界面空洞缺陷的绝缘体上硅晶圆提供了条件。
主权项：1.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和第二衬底分别具有相对设置的衬底面和键合面；对所述第一衬底的键合面和所述第二衬底的键合面进行抛光处理；将所述第一衬底的键合面与所述第二衬底的键合面对准，置于键合腔室进行键合，所述键合腔室内具有第一环境压强P1，所述键合腔室外具有第二环境压强P2；满足P1＜P2；对所述第一衬底和第二衬底晶圆进行退火，完成键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种晶圆及键合方法
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