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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
摘要：本发明公开了一种提高半导体耐磨能力的方法，包括：将半导体放在表面处理装置的反应腔室内的放置台上；向所述表面处理装置的气体输入装置通入惰性气体，并开启所述表面处理装置的射频装置，以产生第一等离子体对所述反应腔室内的硅靶进行溅射，使得所述半导体上沉积硅层；将所述反应腔室内的碳靶调节为角度与所述放置台平行，且靶面面向所述放置台；向所述气体输入装置通入含碳气体和惰性气体，并开启所述表面处理装置的射频装置，以产生第二等离子体对所述反应腔室内的碳靶进行溅射，使得所述半导体上沉积DLC层。采用本发明实施例能有效在半导体表面沉积高硬度的DLC层，从而提高半导体耐磨能力。
主权项：1.一种提高半导体耐磨能力的方法，其特征在于，包括：将半导体放在表面处理装置的反应腔室内的放置台上；其中，所述表面处理装置包括物体检测器和与所述放置台连接的偏置电源，所述物体检测器用于检测所述放置台上是否放置有物体，并在检测到所述放置台上放置有物体时启动所述偏置电源，为所述放置台上的物体提供偏压；向所述表面处理装置的气体输入装置通入惰性气体，并开启所述表面处理装置的射频装置，以产生第一等离子体对所述反应腔室内的硅靶进行溅射，使得所述半导体上沉积硅层；其中，所述气体输入装置用于将气体扩散至所述反应腔室内，所述射频装置用于对所述反应腔室内的气体进行电离，以产生相应的等离子体；将所述反应腔室内的碳靶调节为角度与所述放置台平行，且靶面面向所述放置台；向所述气体输入装置通入含碳气体和惰性气体，并开启所述表面处理装置的射频装置，以产生第二等离子体对所述反应腔室内的碳靶进行溅射，使得所述半导体上沉积DLC层。
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