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申请/专利权人：兰州大学
摘要：本发明涉及一种高密度磁记录介质FeCrMn单晶薄膜及其制备方法。所述FeCrMn单晶薄膜的化学组成为FexCryMn100‑x‑y，20≤x≤35，42.5≤y≤57.5。本发明还提供了高密度磁记录介质FeCrMn单晶薄膜的制备方法，1清洗；2在单晶基片上生长Fe种子层；3在含Fe种子层的单晶基片上按配比生长FeCrMn单晶。本发明提供的高密度磁记录介质FeCrMn单晶薄膜既满足了高密度磁记录介质磁记录晶粒足够小且各向异性足够高的要求，又有效克服了居里温度较高导致难以应用的问题。同时，铁磁原子簇因耦合得到较高的各向异性能，使得团簇尺寸可以大幅度降低。特别是本发明提供的化学组成Fe30Cr42.5Mn27.5的单晶薄膜性能最优，可以作为高密度磁记录介质来使用。
主权项：1.一种高密度磁记录介质FeCrMn单晶薄膜，其特征在于，所述FeCrMn单晶薄膜的化学组成为FexCryMn100-x-y，20≤x≤35，42.5≤y≤57.5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州大学 一种高密度磁记录介质FeCrMn单晶薄膜及其制备方法
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