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申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
摘要：本公开提供了一种半导体器件辐射损伤确定方法、装置、设备及介质，涉及半导体器件辐射技术领域，包括获取辐照总剂量；输入辐照总剂量至预先构建的与半导体器件对应的总剂量效应计算模型，得到总剂量效应计算模型输出的阈值电压漂移数据；根据阈值电压漂移数据，确定半导体器件的辐射损伤；其中，总剂量效应计算模型基于总剂量辐照诱发半导体器件产生固定陷阱电荷并导致阈值电压漂移的过程确定。本公开基于总剂量辐照诱发半导体器件产生固定陷阱电荷并导致阈值电压漂移的过程构建总剂量效应计算模型，获取辐照总剂量即可确定对应的阈值电压漂移数据，以便评估半导体器件在各种工作条件下的辐射损伤，无需进行总剂量辐照试验，大大降低了成本。
主权项：1.一种半导体器件辐射损伤确定方法，其特征在于，包括：获取辐照总剂量；输入所述辐照总剂量至预先构建的与半导体器件对应的总剂量效应计算模型，得到所述总剂量效应计算模型输出的阈值电压漂移数据；根据所述阈值电压漂移数据，确定所述半导体器件的辐射损伤；其中，所述总剂量效应计算模型基于总剂量辐照诱发所述半导体器件产生固定陷阱电荷并导致阈值电压漂移的过程确定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 半导体器件辐射损伤确定方法、装置、设备及介质
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