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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：披露了一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构。所述方法包括：确定与由所述第一结构散射的第一辐射相关的第一电场；确定与由所述第二结构散射的第二辐射相关的第二电场；和按计算方式确定所述第一电场和所述第二电场的干涉，以获得按计算方式确定的干涉电场。
主权项：1.一种用于获得对由一对结构散射辐射进行描述的按计算方式确定的干涉电场的方法，所述一对结构包括位于衬底上的第一结构和第二结构，所述方法包括：用具有第一波长的第一入射照射辐射来照射所述第一结构以产生由所述第一结构散射的第一辐射；以及用具有第二波长的第二入射照射辐射来照射所述第二结构以产生由所述第二结构散射的第二辐射，其中，所述第一波长被选择为优化所述第一辐射的信号强度，并且所述第二波长被选择为优化所述第二辐射的信号强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于确定在衬底上的一个或更多个结构的特性的量测设备和方法
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