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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种晶圆的抛光方法及抛光装置，抛光方法包括如下步骤：提供晶圆，将晶圆置于抛光区；向抛光区通入第一抛光液，对晶圆进行至少一次第一抛光处理；在进行第一抛光处理后，向抛光区通入第二抛光液，对晶圆进行第二抛光处理；在进行第二抛光处理后，向抛光区通入第三抛光液，对晶圆进行第三抛光处理；其中，第一抛光液中的磨粒具有第一浓度W1％和第一平均粒径D1；第二抛光液中的磨粒具有第二浓度W2％和第二平均粒径D2；第三抛光液中的磨粒具有第三浓度W3％和第三平均粒径D3；满足：W1％＞W2％≥W3％，D1＞D2≥D3。通过合理分配每次抛光的时间和精细程度，使晶圆表面的颗粒得到优化，提高晶圆产品良率。
主权项：1.一种晶圆的抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：提供晶圆，将所述晶圆置于抛光区；向所述抛光区通入第一抛光液，对所述晶圆进行至少一次第一抛光处理；在进行第一抛光处理后，向所述抛光区通入第二抛光液，对所述晶圆进行第二抛光处理；在进行第二抛光处理后，向所述抛光区通入第三抛光液，对所述晶圆进行第三抛光处理；其中，所述第一抛光液中的磨粒具有第一浓度W1％和第一平均粒径D1；所述第二抛光液中的磨粒具有第二浓度W2％和第二平均粒径D2；所述第三抛光液中的磨粒具有第三浓度W3％和第三平均粒径D3；满足：W1％＞W2％≥W3％，D1＞D2≥D3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中环领先半导体科技股份有限公司 一种晶圆的抛光方法及抛光装置
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