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申请/专利权人：龙芯中科(南京)技术有限公司
摘要：本发明实施例提供了一种功能电路的过温保护电路及电源芯片，涉及电路技术领域。在本发明实施例中，当功能电路的工作温度升高至一较高温度，以及降低至一较低温度时，全差分放大器的输入对管的栅端电压则变化较大，导致所在的温度迟滞电路输出不同的高低电平，从而触发功能电路的关闭或开启，如此，实现了对功能电路的过温保护，另外，全差分放大器对输入至输入对管的三极管的发射极电压和不同的输入参考电压进行比较，通过由不同的输入参考电压所表征的温度区间实现了具有迟滞效果的过温保护，且迟滞温度区间可调。
主权项：1.一种功能电路的过温保护电路，其特征在于，包括温度迟滞电路和迟滞增强电路，所述迟滞增强电路与至少一个功能电路分别连接；所述温度迟滞电路用于对所述功能电路的温度进行检测控制，包括三极管和全差分放大器；所述三极管的发射极向所述全差分放大器输出发射极电压；所述全差分放大器基于所述发射极电压、以及外部输入的输入参考电压和输出共模参考电压，向所述迟滞增强电路输出第一信号；所述迟滞增强电路包括施密特触发器电路，所述施密特触发器电路将所述第一信号进行增强和整形后，向所述功能电路输出第二信号；其中，所述发射极电压与所述功能电路的工作温度呈负相关；所述第一信号对应的电压与所述发射极电压正相关；所述第二信号对应的电压与所述第一信号对应的电压呈负相关，以控制关闭或开启所述功能电路；所述全差分放大器包括主运放电路和共模反馈放大器；所述主运放电路包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；所述第一NMOS晶体管、所述第一PMOS晶体管分别经所述第一电阻，所述第二NMOS晶体管、第二PMOS晶体管分别经所述第二电阻，各自与所述共模反馈放大器的正端连接，以向所述共模反馈放大器发送输出共模电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 龙芯中科(南京)技术有限公司 功能电路的过温保护电路及电源芯片
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