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申请/专利权人：四川富乐华半导体科技有限公司
摘要：本申请涉及DCB氧化铝陶瓷基板制备技术领域，本发明公开了一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包括以下步骤：步骤一：在蚀刻工艺完成后将DCB氧化铝陶瓷基板浸泡在氢氟酸溶液中；步骤二：将步骤一中浸泡后的DCB氧化铝陶瓷基板进行三次清洗；步骤三：将步骤二清洗后的DCB氧化铝陶瓷基板进行烘干。本发明通过在蚀刻后使用氢氟酸溶液浸泡以及三种不同清洁方式，有效消除产品烧结后的中间产物CuAlO2，破坏O‑Cu‑O结构，从而降低产品岛间漏电流，提高绝缘性能；氢氟酸清洁效率高，实现降本增效，节约成本。
主权项：1.一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包括以下步骤：步骤一：在蚀刻工艺完成后将瓷片厚度为0.2~1.0mm的DCB氧化铝陶瓷基板浸泡在浓度为4~8%的氢氟酸溶液中；步骤二：将步骤一中浸泡后的DCB氧化铝陶瓷基板进行三次清洗；一次超声清洗，将步骤一中氢氟酸溶液浸泡后的DCB氧化铝陶瓷基板转移至超纯水洗槽中使用超纯水超声清洗1~3min，清洗温度为60~80℃；二次浸泡清洗，将经过一次超声清洗的DCB氧化铝陶瓷基板转移至浸泡水洗槽中使用纯水清洗1~2min，清洗温度为室温；三次慢拉提水洗，将经过二次浸泡清洗的DCB氧化铝陶瓷基板转移至慢提拉槽中，使用纯水慢提拉水洗45~60s，清洗温度为60~70℃；步骤三：将步骤二清洗后的DCB氧化铝陶瓷基板进行烘干。
全文数据：
权利要求：
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