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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：本发明题为“使用齐纳二极管对感测IGBT的静电放电处理”。主绝缘栅双极晶体管IGBT和感测IGBT可具有连接在感测IGBT的感测发射极与主IGBT的主发射极之间的感测电阻器。背对背齐纳二极管可连接在感测IGBT的感测栅极与感测发射极之间，并且被配置为在静电放电ESD事件期间钳位感测栅极与感测发射极之间的电压。
主权项：1.一种半导体晶体管器件，包括：主绝缘栅双极晶体管，所述主绝缘栅双极晶体管具有主栅极、主集电极和主发射极；感测绝缘栅双极晶体管，所述感测绝缘栅双极晶体管具有感测栅极、感测集电极和感测发射极，所述感测栅极电连接到所述主栅极，并且所述感测集电极电连接到所述主集电极；感测电阻器，所述感测电阻器连接在所述感测发射极与所述主发射极之间；和背对背齐纳二极管，所述背对背齐纳二极管连接在所述感测栅极与所述感测发射极之间，并且被配置为在静电放电ESD事件期间钳位所述感测栅极与所述感测发射极之间的电压，其中所述主发射极包括主发射极区，所述主发射极区形成在衬底上，并且由第一结终端扩展隔离，感测发射极区在外延层中形成并且由形成在围绕所述感测发射极区的环形形成物中的第二结终端扩展隔离，所述外延层包括位于第一结终端扩展和第二结终端扩展之间的电隔离区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 使用齐纳二极管对感测IGBT的静电放电处理
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