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申请/专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
摘要：本申请涉及一种绝缘体上硅结构及其制备方法，包括：绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括埋氧层，埋氧层内埋设有第一栅极；晶体管结构，位于绝缘体上硅衬底上，晶体管结构包括有源层及第二栅极，第二栅极与第一栅极在绝缘体上硅衬底的正投影存在交集，且交集区域位于有源层在绝缘体上硅衬底的正投影内部，第二栅极电连接至第一栅极。本申请将位于埋氧层内的第一栅极同第二栅极进行连接，使得二者电位相同，从而达到对体区电势的控制，有效减少浮体效应。同时，可以使得栅极电压对于电子沟道的控制回到线性。
主权项：1.一种绝缘体上硅结构，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括埋氧层，所述埋氧层内埋设有第一栅极；晶体管结构，位于所述绝缘体上硅衬底上，所述晶体管结构包括有源层及第二栅极，所述第二栅极与所述第一栅极在所述绝缘体上硅衬底的正投影存在交集，且交集区域位于所述有源层在所述绝缘体上硅衬底的正投影内部，所述第二栅极电连接至所述第一栅极；所述绝缘体上硅衬底包括：电荷捕获层，所述埋氧层位于所述电荷捕获层上；介质层，位于所述晶体管结构上；第三互连结构，从所述介质层内延伸至所述电荷捕获层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏卓胜微电子股份有限公司 绝缘体上硅结构及其制备方法
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