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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片，所述的折射率传感芯片分为四层结构，第一层为底层的透明介质基底，第二层为金属薄膜层，第三层介质光栅层，第四层为高折射率介质光栅层；其中，介质光栅层和高折射率介质光栅层为周期性光栅阵列，光栅周期同为p，光栅占空比同为q，厚度分别为t1和t2，其中t1t2；通过调整芯片的结构参数，包括金属薄膜层厚度和高折射率介质光栅层的光栅参数及厚度，在Q值较低的GMR（Guided‑ModeResonance）共振峰的基础上，衍生出一个高Q的共振峰；该高Q共振峰处伴随着相位突变，高Q共振峰具备偏振敏感性。基于本发明可实现高灵敏的折射率传感，对疾病诊断、药物研发、生物化学检测等领域具有发展性的意义。
主权项：1.一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片，其特征在于，所述的折射率传感芯片分为四层结构，第一层为底层的透明介质基底（1），第二层为金属薄膜层（2），第三层介质光栅层（3），第四层为高折射率介质光栅层（4）；其中，介质光栅层（3）和高折射率介质光栅层（4）为周期性光栅阵列，光栅周期同为p，光栅占空比同为q，厚度分别为t1和t2，其中t1t2；通过调整芯片的结构参数，包括金属薄膜层（2）厚度和高折射率介质光栅层（4）的光栅参数及厚度，在Q值较低的导模共振（GMR）共振峰的基础上，衍生出一个高Q的共振峰；该高Q共振峰处伴随着相位突变，高Q共振峰具备偏振敏感性；高Q共振峰的工作波长可通过调节芯片的结构参数来调节；所述的透明介质基底（1）为折射率低于1.6的透明材料，包括玻璃或塑料；所述的金属薄膜层（2）为具备金属损耗及金属高反特性的金属材料，包括Au、Ag、Al、Cu或Ti；所述的金属薄膜层（2）的厚度为80-200nm；所述的介质光栅层（3）包括Si3N4、ZnO或SiO2；所述的高折射率介质光栅层（4）为折射率大于2的介质材料，包括TiO2、ZrO2、Ta2O5或Si。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片
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