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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：基于电流退火的线性GMR磁传感器制造方法及系统，包括：在基片上沉积GMR多层膜结构：在第一条件下对多层膜结构的钉扎层进行磁化，电流退火方向沿磁阻条短方向；在第二条件下对多层膜结构的自由层进行磁化，电流退火方向沿磁阻条长方向；在GMR惠斯通全桥结构中，对四组GMR多层膜结构分别做上述电流退火处理，使相邻两个桥臂上的磁阻随外磁场的变化相反，得到全桥结构的GMR磁传感器。本发明可以实现单个磁阻条的线性电压输出。进一步地，对同一基片上不同区域结构分别进行局域电流磁退火以实现惠斯通电桥结构的四组磁阻对外磁场响应两两反向，最终实现全桥结构的线性电压输出。
主权项：1.基于电流退火的线性GMR磁传感器制造方法，其特征在于，包括：在基片上沉积GMR多层膜结构，GMR多层膜结构包括钉扎层、非磁金属层和自由层：在第一条件下对多层膜结构的钉扎层进行磁化，电流退火方向沿磁阻条短方向；第一条件为在25℃环境温度下退火电流密度约1.85MAcm2以上，在10℃环境温度下退火电流密度约2.59MAcm2以上，退火磁场大于等于钉扎层完全翻转时的磁场大小；在第二条件下对多层膜结构的自由层进行磁化，电流退火方向沿磁阻条长方向；第二条件为在25℃环境温度下退火电流密度在1.85MAcm2以下，在10℃环境温度下退火电流密度在2.59MAcm2以下，小于钉扎层完全翻转时的磁场大小；电流退火后形成具有低磁滞的线性GMR磁电阻芯片；在GMR惠斯通全桥结构中，对四组GMR多层膜结构分别做上述电流退火处理，使相邻两个桥臂上的磁阻随外磁场的变化相反，得到全桥结构的GMR磁传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 基于电流退火的线性GMR磁传感器制造方法及系统
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