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申请/专利权人：浙江大学绍兴研究院

摘要：本实用新型公开了基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，包括倒扣合拢安装的第一基板成板和第二基板成板，第一基板成板包括第一DBC基板以及安装于第一DBC基板上的第一栅极控制端子、第二栅极控制端子、第一铜层、第一MOSFET芯片、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一反并联二极管和第二反并联二极管。本实用新型公开的基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，用于解决现有单一器件的使用，无法满足对于电力电子装置更加苛刻的应用问题，且其通流能力强，散热性更好，可靠性更高。

主权项：1.一种基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，其特征在于，包括倒扣合拢安装的第一基板成板和第二基板成板，其中：第一基板成板包括第一DBC基板以及安装于第一DBC基板上的第一栅极控制端子、第二栅极控制端子、第一铜层、第一MOSFET芯片、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一反并联二极管和第二反并联二极管；第二基板成板包括第二DBC基板以及安装于第二DBC基板上的第三栅极控制端子、第四栅极控制端子、第二铜层、第三铜层、解耦电容、第二MOSFET芯片、第三IGBT芯片、第四IGBT芯片、第三反并联二极管和第四反并联二极管；对于第一基板成板：在第一DBC基板一侧陶瓷面上通过银烧结直接安置长条状的第一栅极控制端子和第二栅极控制端子，并且长度均长于第一DBC基板；第一DBC基板剩余部分则覆盖第一铜层，并且在第一铜层上错落间隔的依次用银烧结的方式连接第一MOSFET芯片、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一反并联二极管和第二反并联二极管；通过第一铝键合线将第一MOSFET芯片的栅极连接到第一栅极控制端子；通过第二铝键合线和第三铝键合线分别将第一IGBT芯片的栅极和第二IGBT芯片的栅极均连接到第二栅极控制端子；将第一钼缓冲层通过银烧结的方式依次安置在第一MOSFET芯片、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一反并联二极管和第二反并联二极管上方；功率端子通过银烧结的方式连接在第一铜层；对于第二基板成板：在第二DBC基板一侧陶瓷面上通过银烧结直接安置长条状的第三栅极控制端子和第四栅极控制端子，并且长度均长于第二DBC基板；第二DBC基板剩余部分则覆盖第二铜层和第三铜层并且第二铜层和第三铜层之间设有间隙，在第二铜层上错落间隔的依次用银烧结的方式连接第二MOSFET芯片、第三IGBT芯片、第四IGBT芯片、第三反并联二极管和第二反并联四极管；通过第四铝键合线将第二MOSFET芯片的栅极连接到第三栅极控制端子；通过第五铝键合线和第六铝键合线分别将第三IGBT芯片的栅极和第四IGBT芯片的栅极均连接到第四栅极控制端子；将第二钼缓冲层通过银烧结的方式依次安置在第二MOSFET芯片、第三IGBT芯片、第四IGBT芯片、第三反并联二极管和第四反并联二极管上方；功率输入端子通过银烧结的方式连接在第二铜层并且功率输出端子通过银烧结的方式连接在第三铜层，解耦电容放置于间隙并且同时连接接触在第二铜层和第三铜层。

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