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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本实用新型提出了一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，所述半导体激光器构成禁带宽度梯度、介电常数梯度、击穿场强梯度、重空穴有效质量梯度和价带有效态密度梯度。本实用新型能够改善激光器折射率色散，提升激光器的限制因子，提升激光器的模式增益，抑制衬底模式泄漏，提升远场FFP图像质量；同时，可降低泵浦光与振荡光之间能量差导致的斯托克斯频移热损耗，降低激光器的废热产生率，降低热膨胀和热失配应力，抑制温度淬灭和激光器热失配断裂问题，抑制热透镜和应力双折射效应，降低激光光束的去极化和失真，提升光束品质因子。
主权项：1.一种半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层，其特征在于，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述下波导层、有源层阱层、有源层垒层、上波导层、电子阻挡层和上包覆层之间构成禁带宽度梯度、介电常数梯度、击穿场强梯度、重空穴有效质量梯度和价带有效态密度梯度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种半导体激光器
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