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申请/专利权人：无锡锡产微芯半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种能降低接触电阻的功率半导体器件及制备方法。其包括：有源区，包括若干元胞沟槽，其中，至少在元胞沟槽的一侧设置沟道源区体，所述沟道源区体包括第二导电类型阱区以及与所述第二导电类型阱区适配连接的第一导电类型源区；所述第一导电类型源区伸入绝缘介质层的电极金属接触孔内，第一导电类型源区与填充在电极金属接触孔内的器件第一电极金属欧姆接触，且所述器件第一电极金属还与沟道区的第二导电类型阱区电连接；绝缘介质层支撑在半导体基板上，且所述绝缘介质层覆盖元胞沟槽的槽口，以利用绝缘介质层将元胞沟槽与器件第一电极金属间隔。本发明能有效降低接触电阻，降低功率半导体器件的导通损耗。
主权项：1.一种能降低接触电阻的功率半导体器件，其特征是，所述功率半导体器件包括：半导体基板，呈第一导电类型；有源区，分布于半导体基板的中心区域，包括若干元胞沟槽，其中，至少在元胞沟槽的一侧设置沟道源区体，所述沟道源区体包括用于形成沟道区的第二导电类型阱区以及与所述第二导电类型阱区适配连接的第一导电类型源区；所述第一导电类型源区伸入绝缘介质层的电极金属接触孔内，第一导电类型源区与填充在电极金属接触孔内的器件第一电极金属欧姆接触，且所述器件第一电极金属还与第二导电类型阱区电连接；绝缘介质层支撑在半导体基板上，且所述绝缘介质层覆盖元胞沟槽的槽口，以利用绝缘介质层将元胞沟槽与器件第一电极金属间隔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡锡产微芯半导体有限公司 能降低接触电阻的功率半导体器件及制备方法
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