龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明涉及一种HfO2基薄膜及其制备方法，包括基底，所述基底上设有金属W层，所述金属W层上覆盖有Hf0.5Zr0.5O2薄膜，所述Hf0.5Zr0.5O2薄膜上覆盖有ZrO2薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基底上沉积金属W层；再在金属W层上沉积Hf0.5Zr0.5O2薄膜；然后在Hf0.5Zr0.5O2薄膜上沉积ZrO2薄膜，获得HfO2基无定形薄膜后，于保护气氛或真空条件下退火处理后，获得HfO2基薄膜成品。本发明有效解决了HfO2薄膜介电常数与剩余极化值相矛盾的问题。
主权项：1.一种HfO2基薄膜，包括基底，其特征在于，所述基底上设有金属W层，所述金属W层上覆盖有Hf0.5Zr0.5O2薄膜，所述Hf0.5Zr0.5O2薄膜上覆盖有ZrO2薄膜，在金属W层上形成双层薄膜结构；Hf0.5Zr0.5O2薄膜的厚度为4.5nm或者6-15nm；ZrO2薄膜的厚度为3-10.5nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种HfO2基薄膜及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号