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一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法 

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申请/专利权人:太原理工大学

摘要:本发明属于半导体光电探测器技术领域,具体涉及一种晶体管型4H‑SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法,包括4H‑SiC基底,所述4H‑SiC基底的硅面上设置有Au纳米颗粒层,所述Au纳米颗粒层为多个Au纳米颗粒呈岛状分布形成,所述Au纳米颗粒层上设置有分离的半透光的源电极和漏电极,所述4H‑SiC基底的碳面上设置有不透光的栅电极。本发明可以实现具有高增益性能的紫外‑可见‑近红外宽谱光信号探测。

主权项:1.一种晶体管型4H-SiC基宽谱表面等离激元光电探测器,其特征在于,包括4H-SiC基底1,所述4H-SiC基底1的硅面上设置有Au纳米颗粒层2,所述Au纳米颗粒层2为多个Au纳米颗粒呈岛状分布形成,所述Au纳米颗粒层2上设置有分离的半透光的源电极3和漏电极4,所述4H-SiC基底1的碳面上设置有不透光的栅电极5。

全文数据:

权利要求:

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