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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及微电子制造技术领域，尤其是涉及一种SOT‑MRAM存储器单元及其制备方法，包括自下而上依次设置的底电极层、磁隧道结、反铁磁层和顶电极层，所述磁隧道结包括自由层、隧穿层和钉扎层，其中，所述底电极层为W金属层和Ta金属层呈奇数设置的叠层结构。本发明的底电极层为奇数层叠层结构，研究表明，其具有较高的自旋霍尔角和较低的电阻，电流与自旋流之间的转化效率较高，产生的垂直于电流方向的自旋流较高，使得自旋轨道耦合层能够更快地翻转磁性自由层的磁化方向，提高读取速度。因此，在上述各层级结构的相互作用下，本发明的SOT‑MRAM存储器单元隧道结TMR均值可达100％以上。
主权项：1.一种SOT-MRAM存储器单元，其特征在于，包括自下而上依次设置的底电极层2、磁隧道结、反铁磁层6和顶电极层7，所述磁隧道结包括自由层3、隧穿层4和钉扎层5，其中，所述底电极层2为W金属层和Ta金属层呈奇数设置的叠层结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 中国科学院微电子研究所 一种SOT-MRAM存储器单元及其制备方法
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