龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明公开了一种涉及磁性存储器领域，特别是涉及一种磁补偿MTJ器件及其制造方法、MRAM设备，包括依次层叠设置的MTJ单元、隔离层及磁补偿层；所述MTJ单元包括层叠设置的自由层、势垒层及SAF固定层；在预设温度范围内的相同温度下，所述SAF固定层对应的SAF固定层净余磁化强度，与所述磁补偿层对应的磁补偿层净余磁化强度的比值不超过第一给定范围，且所述磁补偿层净余磁化强度与所述SAF固定层净余磁化强度的方向相反；所述磁补偿层的磁翻转场大于所述自由层的磁翻转场。本发明使得在自由层对应位置磁补偿层产生的漏磁场与固定层产生的漏磁场在一定范围内的相同温度下相互抵消，保证了MTJ器件数据保持能力的平衡性。
主权项：1.一种磁补偿MTJ器件，其特征在于，包括依次层叠设置的MTJ单元、隔离层及磁补偿层；所述MTJ单元包括层叠设置的自由层、势垒层及SAF固定层；在预设温度范围内的相同温度下，所述SAF固定层对应的SAF固定层净余磁化强度，与所述磁补偿层对应的磁补偿层净余磁化强度的比值不超过第一给定范围，且所述磁补偿层净余磁化强度与所述SAF固定层净余磁化强度的方向相反；所述磁补偿层的磁翻转场大于所述自由层的磁翻转场。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种磁补偿MTJ器件及其制造方法、MRAM设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号