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申请/专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种IGBT器件，包括：发射极侧载流子浓度增强结构，用于调节IGBT器件的通态压降在常温下的第一值；集电极侧注入效率增强结构包括：依次位于漂移区背面的第一导电类型掺杂的第一和第二缓冲层和第二导电类型掺杂的集电区。第一缓冲层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。第二缓冲层的注入剂量为第一缓冲层的注入剂量的数倍。集电区的注入剂量为第二缓冲层的注入剂量的数倍。集电区、第二缓冲层和第一缓冲层形成掺杂浓度梯度变化的第一分布结构，用于通态压降在高温下的第二值，且使第二值的降低到和第一值之间的第一差值满足要求。本发明还公开了一种IGBT器件的制造方法。本发明能调节并降低高温时的通态压降，减少不同温度下通态压降差值。
主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：发射极侧载流子浓度增强结构，用于调节IGBT器件的通态压降在常温下的第一值；集电极侧注入效率增强结构，包括：第一导电类型掺杂的第一缓冲层、第一导电类型掺杂的第二缓冲层和第二导电类型掺杂的集电区；所述第一缓冲层位于第一导电类型的漂移区的背面；所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层的背面；所述集电区位于所述第二缓冲层的背面；所述第一缓冲层的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；所述第二缓冲层的注入剂量为所述第一缓冲层的注入剂量的数倍；所述集电区的注入剂量为所述第二缓冲层的注入剂量的数倍；所述集电区、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层形成掺杂浓度梯度变化的第一分布结构，所述第一分布结构用于调节所述IGBT器件的通态压降在高于常温的高温下的第二值，且使所述第二值的降低到和所述第一值之间的第一差值满足要求。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海鼎阳通半导体科技有限公司 IGBT器件及其制造方法
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