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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

摘要：本发明涉及一种高可靠实时自中断STT‑MRAM写电路，由写电流通路和实时自中断写电流控制等模块组成。本发明所述的写电路适用于2T2MTJ存储单元结构，即采用2个Transistor和2个MTJ记录1bit数据；写电流通路由存储单元和外围电路组成，其中外围电路采用双电流镜结构，缓解STT写操作的电流、时间不对称问题；实时自中断写电流控制模块在确保写正确率、不启动读电路的情况下，缩短具体单元的写时间、降低写功耗，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命。本发明具有数据存储高可靠、写操作高效率、存储单元长寿命等优点，可作为高可靠、长寿命STT‑MRAM写电路设计的解决方案。

主权项：1.一种高可靠实时自中断STT-MRAM写电路，其特征在于，包括写电流通路和实时自中断写电流控制模块；写电流通路包括存储单元和4个外围电路分支；存储单元包含磁隧道结MTJL、磁隧道结MTJR、NMOS管NM1和NMOS管NM2，磁隧道结MTJL和磁隧道结MTJR在磁性固定层磁化方向上相同，在磁性自由层磁化方向上相反；NMOS管NM1的第一端和磁隧道结MTJL的第一端串联，NMOS管NM1的第一端为源极端或漏极端，NMOS管NM2的第一端和磁隧道结MTJR的第一端串联，NMOS管NM2的第一端为源极端或漏极端，NMOS管NM1和磁隧道结MTJL串联连接方式与NMOS管NM2和磁隧道结MTJR串联连接方式结构对称；NMOS管NM1和NMOS管NM2的栅极与字线WL相连，WL信号在实时自中断写电流控制模块的控制下，控制NMOS管NM1和NMOS管NM2是否导通；4个外围电路分支中，分支1与分支2结构对称，分支3与分支4结构对称；分支1在写驱动电压端A与磁隧道结MTJL的第二端之间串联，分支2在写驱动电压端B与磁隧道结MTJR的第二端之间串联，分支3在写驱动电压端B与NMOS管NM1的第二端之间串联，分支2在写驱动电压端A与NMOS管NM2的第二端之间串联；写驱动电压端A和写驱动电压端B交替输出高电平。

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