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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

摘要：本申请提供了一种CIS图像传感器及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底包含像素区，像素区的衬底中形成有光电二极管区，衬底表面形成有衬垫氧化层；依次形成第一硬掩膜层和光刻胶层；刻蚀像素区的第一硬掩膜层和衬垫氧化层以形成多个开口；刻蚀像素区的衬底以形成多个沟槽，光电二极管区所在位置与沟槽所在位置存在一定的偏移；对沟槽底部的衬底进行离子浅层注入；去除第一硬掩膜层和衬垫氧化层；形成栅氧化层和多晶硅层；在沟槽中形成传输栅，其中传输栅在沟槽的顶端侧壁位置存在缺口；形成多个源漏区。本申请通过将像素区的传输栅做到沟槽中，增加光电二极管区与源跟踪管等MOS管的源漏区的距离，从而降低了器件的漏电。

主权项：1.一种CIS图像传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包含像素区，所述像素区的衬底中形成有光电二极管区，所述衬底表面形成有衬垫氧化层；依次形成第一硬掩膜层和光刻胶层，所述第一硬掩膜层覆盖所述衬底，所述光刻胶层覆盖所述第一硬掩膜层；通过光刻工艺在所述光刻胶层上定义所述像素区的沟槽图形，以得到图案化的光刻胶层；以图案化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述像素区的所述第一硬掩膜层和所述衬垫氧化层以形成多个开口；去除图案化的所述光刻胶层；以所述第一硬掩膜层和所述衬垫氧化层为掩模，根据所述开口，刻蚀所述像素区的所述衬底以形成多个沟槽，其中，所述沟槽位于所述光电二极管区上，所述沟槽底壁与所述光电二极管区的上表面之间存在一定的间距，并且所述光电二极管区所在位置与所述沟槽所在位置存在一定的偏移；对所述沟槽底部的衬底进行离子浅层注入，以钝化所述沟槽底壁的衬底表面的界面态；去除所述第一硬掩膜层和所述衬垫氧化层；形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述衬底和所述沟槽的侧壁、底壁；形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述栅氧化层；形成第二硬掩膜层，所述第二硬掩膜层覆盖所述多晶硅层；通过光刻工艺在所述第二硬掩膜层上定义所述像素区的栅极图形，以得到图案化的所述第二硬掩膜层；以图案化的所述第二硬掩膜层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，以在所述沟槽中形成传输栅，以及在所述传输栅侧的栅氧化层上形成源跟踪栅、复位栅和选择栅，其中，所述传输栅在所述沟槽的顶端侧壁位置存在缺口；去除图案化的所述第二硬掩膜层；以及形成多个源漏区，各所述源漏区分别对应位于所述源跟踪栅两侧的衬底中、所述复位栅两侧的衬底中以及所述选择栅两侧的衬底中。

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