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申请/专利权人:西安交通大学医学院第一附属医院;西安交通大学
摘要:本发明公开了一种对环境因素敏感的人工突触忆阻器件及其制备方法,涉及电子器件技术领域。本发明将稀土掺杂的PbMg13Nb23O3‑PbTiO3单晶作为人工突触忆阻器件中的功能层,可使得忆阻器同时对多种环境因素敏感,具有人造神经突触的特性,同时具有结构简单、性能优异和稳定性高的特点,提高了器件的存储与计算密度,在构建人工神经网络系统中具有良好的应用前景。
主权项:1.稀土掺杂的PbMg13Nb23O3-PbTiO3单晶作为人工突触忆阻器件中功能层的应用。
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