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申请/专利权人：浤湃半导体(苏州)有限公司
摘要：本发明涉及一种耐高压低导通电阻GaNHEMT外延片及其制备方法，包括：在衬底上生长AlN膜层，并在载气气氛下处理衬底及AlN膜层，降温并通入高纯NH3生长AlN层，升温关闭高纯NH3，对AlN层进行重结晶，通入TMIn并生长AlNAlGaN超晶格层，通入TMIn并生长AlGaN层，依次生长GaN层、AlN层以及AlGaN层。本发明通过在生长AlGaN时通入一定量的TMIn的方式，及通过采用新型缓冲层的生长方式，解决了厚膜AlGaN的应力问题，从而实现了高Al组分、高电阻的厚膜AlGaN层，解决GaNHEMT器件的漏电问题。
主权项：1.一种耐高压低导通电阻GaNHEMT外延片的制备方法，其特征在于：包括：S1：在衬底上生长AlN膜层，并在950～1100℃的载气气氛下处理衬底及AlN膜层，S2：降温并通入高纯NH3生长AlN层，升温关闭高纯NH3，对AlN层进行重结晶，S3：通入TMIn并生长AlNAlGaN超晶格层，生长周期数为3～10，AlGaN超晶格层中的Al组分由70％～80％逐步降至50％～60％，S4：通入TMIn并生长AlGaN层，AlGaN层中的Al组分为50％～60％，S5：依次生长GaN层、AlN层以及AlGaN层，其中AlGaN层中的Al组分为18％～30％。
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权利要求：
百度查询： 浤湃半导体(苏州)有限公司 一种耐高压低导通电阻GaN HEMT外延片及其制备方法
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