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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及一种大功率GaN电子器件及其制备方法，属于GaN电子器件技术领域，解决了现有技术中GaN电子器件高通量散热的问题。所述GaN电子器件包括衬底和设置在衬底上的AlIn,GaNGaN异质结构层，所述AlIn,GaNGaN异质结构层上设置有源电极、漏电极和栅电极，所述源电极与栅电极之间以及漏电极与栅电极之间分别设置有AlN厚膜介质钝化层。本发明采用高导热AlN晶体介质代替传统的SiNx和Al2O3等钝化介质，利用高导热率的厚膜晶体AlN介质做近结钝化层，有效降低结温和热阻，解决大功率器件的近结散热问题。
主权项：1.一种大功率GaN电子器件，其特征在于，所述GaN电子器件包括衬底1和设置在衬底1上的AlIn,GaNGaN异质结构层，所述AlIn,GaNGaN异质结构层上设置有源电极2、漏电极3和栅电极4，所述源电极2与栅电极4之间以及漏电极3与栅电极4之间分别设置有AlN厚膜介质钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种大功率GaN电子器件及其制备方法
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